据外媒报道，三星已经开始批量生产512GB基于eUFS3.1标准的存储芯片。这些芯片已经被用于旗下的Glaxy S20 ultra,而且不久也会用于其他品牌的手机。
这个消息意味着手机的读写速度迈向新的台阶。新的的存储芯片可使顺序读写速度分别达到2100MB/S和1200MB/S.特别是顺序写速度几乎是ufs3.0的三倍。而随机读写速度也有很大的提升，分别达到了100000IOPS和70000IOPS。这对于实际应用意味着什么呢？对于三星而言，更快的存储芯片可以即刻保存8k录像，写入100G数据只需90s。
三星表示，它还在开发256GB和128GB的旗舰智能手机容量，将于今年晚些时候推出。 这意味着，即使你不选择最顶级的型号，你仍然可以期待你的手机比现在快得多。
推荐阅读：途聚网
（正文已结束）
免责声明及提醒：此文内容为本网所转载企业宣传资讯，该相关信息仅为宣传及传递更多信息之目的，不代表本网站观点，文章真实性请浏览者慎重核实！任何投资加盟均有风险，提醒广大民众投资需谨慎！